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CGHV96050F2炭化硅高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉化率單晶體管 代外盤

頒布時段：2019-02-22 10:22:17     瀏覽器：1762

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，進入/模擬輸出搭配GaN HEMT


Wolfspeed的(de)CGHV96050F2是無定(ding)形(xing)碳(tan)硅（SiC）柔性(xing)(xing)板(ban)上的(de)氮(dan)化鎵（GaN）高電(dian)(dian)子為(wei)了滿足電(dian)(dian)子時代發(fa)展的(de)需求，變更(geng)率單晶體管(guan)（HEMT）。與(yu)(yu)其余技(ji)(ji)術工藝想必，此(ci)種(zhong)GaN內配對（IM）FET兼有優秀的(de)工作電(dian)(dian)壓疊加有效率。與(yu)(yu)硅或(huo)砷(shen)化鎵相對于，GaN具有著表現出色的(de)性(xing)(xing)能參數，包含更(geng)大(da)的(de)額(e)定(ding)電(dian)(dian)壓擊穿額(e)定(ding)電(dian)(dian)壓，更(geng)大(da)的(de)達到飽和(he)狀態電(dian)(dian)子技(ji)(ji)術漂移強(qiang)度(du)(du)和(he)更(geng)大(da)的(de)傳熱率。與(yu)(yu)GaAs晶胞管(guan)不(bu)(bu)同之處(chu)，GaN HEMT還具備不(bu)(bu)大(da)的(de)效率強(qiang)度(du)(du)和(he)更(geng)寬的(de)資(zi)源(yuan)帶(dai)寬。該IM FET主要采用不(bu)(bu)銹鋼/淘瓷(ci)法(fa)蘭(lan)部封口，具最好的(de)電(dian)(dian)力和(he)性(xing)(xing)溫能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT典型案例值


基線所在功效 50W
適用 L頻譜(pu)(pu)/ S頻譜(pu)(pu)/ X頻譜(pu)(pu)/ C頻譜(pu)(pu)/ Ku頻譜(pu)(pu)
明顯的熱質(zhi)量(liang)額外(wai)增(zeng)加(jia)質(zhi)量(liang)PAE 55％
先進典(dian)型額(e)定(ding)功率（PSAT） 80瓦
工作電壓增益控制 10dB
本職(zhi)工作(zuo)線電壓 40 V
次數 7.9 - 9.6 GHz
設計類型、 輪緣
內壁(bi)自動匹配 是(shi) - 50Ω

示意圖

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