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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R是種個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5mm毫米。它是種個瓷器芯片封裝類型，上限運作12千兆赫。Bi系類用到唯一性來設計的瓷器芯片封裝類型，暗含可以彎曲的（Bi-G）或直（Bi）引線，用到內嵌式裝配策略。包邊側的法蘭部并且用做整流與地面系統、微波射頻與地面系統和熱安全通道。本那部分達到RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
更好排熱的底部

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干撓機

示意圖