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HMC457QS16G(E)有的是款高動態化領域GaAs InGaP異質結雙電性單晶體管(HBT)、1瓦特MMIC電率變成器，在1.7至2.2 GHz的頻段下事情。 該變成器主要包括徽型16引腳QSOP材料封裝，其收獲在1.7至2.0 GHz頻段下通暢為27 dB，在2.0至2.2 GHz頻段下通暢為25 dB。 它僅安全使用直積量的表面部件，其輸入轉換精度IP3可能優變為+45 dBm。 可能巧用電率保持(Vpd)實現目標徹底掉電或RF輸入轉換精度電率/電壓電流保持。 高輸入轉換精度IP3和PAE導致HMC457QS16G(E)稱為比較合適蜂窩/3G移動基站和中繼器使用的滿意電率變成器。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC457QS16GE HMC457QS16GETR	1瓦特功率放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.2 GHz	現貨	257

HMC457QS16G應用

• CDMA和W-CDMA
• GSM、GPRS和Edge

• 基站和中繼器

HMC457QS16G優勢和特點

• 輸出IP3： +46 dBm
• 增益： 27 dB （1900 MHz時）
  PAE為48%（Pout為+32 dBm時）
• +25 dBm的W-CDMA通道功率（ACPR為-50 dBc時）
• 集成功率控制(Vpd)
• QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2
• 包含在HMC-DK002設計人員套件中

HMC457QS16G結構圖