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CGHV1F025S是(shi)一(yi)款無與倫比的氮化鎵(jia)（GaN）高(gao)電(dian)子遷(qian)移率(lv)晶體管（HEMT），專為高(gao)效(xiao)率(lv)，高(gao)增益和寬帶寬功(gong)能而(er)設計(ji)。該器(qi)件可用(yong)(yong)(yong)于(yu)L，S，C，X和Ku波段放大(da)器(qi)應用(yong)(yong)(yong)。數據手(shou)冊(ce)規格(ge)基于(yu)X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放大(da)器(qi)。CGHV1F025S采(cai)用(yong)(yong)(yong)40伏軌道(dao)電(dian)路，采(cai)用(yong)(yong)(yong)3 mm x 4 mm表(biao)面貼裝雙扁平無引線（DFN）封裝。在功(gong)耗(hao)降低(di)(di)的情(qing)況下，晶體管可以在低(di)(di)于(yu)40V的電(dian)壓下工作至低(di)(di)至20V的VDD，從而(er)保持高(gao)增益和高(gao)效(xiao)率(lv)。