AM025WN-00-R也是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總高度為2.5厘米(兩種1.25分米FET串連)。它是一個個裸模,可作業達到了15千兆赫。它可供應40.5 dBm的主要表現呈現飽和狀態公率。此大部分達到RoHS。
基本特征
達到(dao)15GHz的低頻工(gong)作
在2GHz時收獲=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
軟件
蜂窩移動信號(hao)塔
無線網局域(yu)、中繼器
C中波段VSAT
聲(sheng)納(na)
檢測分析(xi)儀(yi)器
國防
中文翻譯
微波加熱元元器封裝