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AM005WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總大小為0.5mm。它就是個陶瓷制品封裝，做工作概率led光通量12ghz。BI題材使用特出開發的工業陶瓷打包封裝，使用放到式安轉方式英文，中帶彎曲變形（BI-G）或直（BI）絕緣線。二極管封裝低部的活套法蘭一起用在直流電壓等電位連接、微波射頻等電位連接和熱清算通道。此一些符合要求RoHS。

共(gong)同點

高至12GHz的高頻率操作(zuo)方法(fa)

收獲(huo)=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz

表層貼(tie)裝

有(you)效(xiao)地散熱管的底部

選用

高動向傳輸器

蜂窩wlan移動(dong)基站

聯(lian)通寬(kuan)帶和窄帶縮放器

汽車雷達

測試(shi)方(fang)法醫療儀器

攻沙

騷擾器(qi)