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AM012WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總屏幕寬度匹配為1.25毫米左右。它是在某個工業陶瓷雙包實操高達獨角獸10千兆赫。BI品類應用專項 開發的陶瓷制品封裝類型，應用置入式裝置形式，有帶彎曲成（BI-G）或直（BI）跨接極線。二極管封裝頂端的法蘭部也作為交流電跨接極、微波射頻跨接極和熱綠色通道。此局部滿足RoHS。

癥狀

可以(yi)達到10GHz的低頻(pin)操作的

增加(jia)收益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極(ji)=55%@2.8ghz

面貼裝

可行，散熱處理的(de)下層(ceng)社會

選用

高動態的接受器

蜂窩(wo)有線基站天線

寬(kuan)帶網和窄帶縮放器

預警雷達

測驗實(shi)驗室(shi)設備

軍事(shi)戰爭

影響器