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微波加熱元電器元件封裝
AM025WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總屏幕寬度匹配為2.5mm。它是一個個陶瓷圖片芯片封裝，的工作頻繁 更是高達8千兆赫。BI類別采取比較特殊制定的瓷器封裝，采取融入到式安裝方案，有帶曲折（BI-G）或直（BI）電纜。封裝形式側面的活套法蘭同時用來作為直流電壓跨接、rf射頻跨接和熱出入口。此部位適用RoHS。
特征描述(shu)
可以達到(dao)8GHz的高頻率(lv)操作使用
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
接觸面貼裝
更好導熱的(de)低層(ceng)
用
高技術(shu)性發送(song)到(dao)器
蜂(feng)窩(wo)無限移動基站
移(yi)動寬帶(dai)和窄帶(dai)變小器
聲納
軟件測試檢測儀(yi)器
軍事體育
打擾(rao)器