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CGHV40180F大功率氮化鎵功放200W

主要性能參數

功率(lv)：180-250W峰值

頻段時間范圍：DC-2.0GHz增益控制： 24dB作業電壓值： 50V封口：Pill丸式、蝶閥法蘭

半價訂貨周期：2-3周

類產品情況介紹書

供(gong)選擇封裝主(zhu)要形式：CGHV40180P  CGHV40180F

Product SKU	Recommended For New Design?	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV40180P	Yes	GaN on SiC	DC	2 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGHV40180F-AMP3	Yes	GaN on SiC	0.96 GHz	1.25 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Evaluation Board	Flange
CGHV40180F	Yes	GaN on SiC	DC	2 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Packaged Discrete Transistor	Flange