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二極管底座SemiGen
二極管底座SemiGen
注重技術參數

  • 底座頂部(bu)表面邊緣上的(de)金屬焊盤有助于滿(man)足二極管邊緣安(an)裝要求，邊緣間隙(xi)幾(ji)何形狀低至 5 微米。

  • 在 Ti/Pt/Au 表面焊盤上的 Au/Sn 選取性的堆積清理了對小形焊料裝配式件的外理供需，并規避了核心柔性板表面部位意向焊料飄起的分險。
  • 定購時期 2-4周

品牌：SemiGen

設備詳情說說

Diode Submounts

Dielectric
Material		Thermal
Conductivity
(w/mk)		TCE
(PPM/°C)		Dielectric
Constant		Comment
Alumina (99.6%)26 – 277.29.9"Good Thermal Compatibility with GaAs-Based Devices"
Aluminum Nitride170 – 2104.68.9"Good Thermal Compatibility with Si-Based Devices"
Beryllium Oxide260 – 2908.56.7"Good Thermal Compatibility with GaAs-Based Devices Superior Thermal Performance"
 

Standard Submount Metalizations

MetallizationThicknessComments
Ti/Pt/Au1K? / 1.5 K? / 5K?Best/Universal Choice
Ti /Ni/Au1K? / 1.5 K? / 10K? Min.Ni Diffusion above 350 °C
Au/Sn (80/20)3 to 5 micronsChip Preform Replacement