CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的各個RF效率用途給予了寬(kuan)帶(dai)網應對改進方案。該電(dian)(dian)源線路異常適用電(dian)(dian)磁統計(ji)應用領域。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上(shang)說出的。它因為準MMIC枝術。
它(ta)以合乎RoHS的SMD封裝形式展示(shi) 。
微波加熱元配件
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
頻射網絡帶寬(GHz): 1.2-1.4小訊號增益值(dB):16馬力(W):15關聯增加收益(dB): > 14P-1dB傷害(dBm):-PAE(%): > 55進貨交貨時間:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L光波的各個RF效率用途給予了寬(kuan)帶(dai)網應對改進方案。該電(dian)(dian)源線路異常適用電(dian)(dian)磁統計(ji)應用領域。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上(shang)說出的。它因為準MMIC枝術。
它(ta)以合乎RoHS的SMD封裝形式展示(shi) 。