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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

重要性技術指標

CHZ180AaSEB 內(nei)部(bu)匹配的(de)GAN功率(lv)晶體(ti)管

頻射下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小數據信號增益控制（dB）：20電功率（W）：200涉及收獲（dB）： > 14P-1dB轉換（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨期：3-4周

物品信息介召

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

是非常最(zui)合適(shi)脈沖造成的雷達(da)探測廣泛應用(yong)。

CHZ180AaSEB是在(zai)0.5μm柵長(chang)的GaN HEMT流程上提(ti)到的。它針對準MMIC高(gao)技術(shu)。

它(ta)進行密封膠法蘭片瓷磚(zhuan)合(he)金材料交流電(dian)源封裝形式，可帶來了低寄托在和低傳熱(re)系數。