CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該食品為聲納和中國電(dian)信等所有RF主機電(dian)源運用帶(dai)來了通用性和光纖寬帶(dai)解決方法設計方案。
該控制電(dian)路(lu)是在SiC襯底(di)上選(xuan)擇0.25μm柵長(chang)的GaN HEMT技(ji)術設備制作業的。
它以(yi)裸集成塊模式(shi)推(tui)出,與此同時都要外部結(jie)構適配電路板。
微波加熱元配件
CHK9013-99F 氮化(hua)鎵功率晶體管
Glin(dB)@幾率(GHz): 18 @ 6的工作速度(GHz): 一般6個是處于飽和狀態工率(W): 88PAE(%)@速度(GHz): 65 @ 6備貨貨期:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該食品為聲納和中國電(dian)信等所有RF主機電(dian)源運用帶(dai)來了通用性和光纖寬帶(dai)解決方法設計方案。
該控制電(dian)路(lu)是在SiC襯底(di)上選(xuan)擇0.25μm柵長(chang)的GaN HEMT技(ji)術設備制作業的。
它以(yi)裸集成塊模式(shi)推(tui)出,與此同時都要外部結(jie)構適配電路板。