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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

核心規格

CHK8101a99F 氮化(hua)鎵功率晶體管

Glin（dB）@工作頻率（GHz）： 14 @ 6操作的頻率（GHz）：最好6個過飽和熱效率（W）： 20PAE（％）@概率（GHz）： 60 @ 6定購交貨：3-4周

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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該(gai)車輛為(wei)預警雷(lei)達和電信(xin)網(wang)(wang)等各種各樣的RF供電使用能提(ti)供普(pu)通和網(wang)(wang)絡帶寬緩解方式。

它是特征提取SiC襯底(di)上的(de)0.5μm柵長GaN HEMT技術(shu)性激發的(de)，如果尤其是按照RoHS N°2011/65和(he)REACh N°1907/2006消息的(de)法律(lv)法規。

它以裸(luo)存(cun)儲(chu)芯片方法給出，而且須得外邊相(xiang)配電(dian)線。