CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該集成運放是(shi)在SiC襯底上采取0.25μm柵(zha)極段長(chang)度的GaN HEMT技巧營造的。
它以裸集成電線芯片(pian)表現形式(shi)談到,而且(qie)應該內部(bu)相配電線。
微波通信元零件封裝
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@概率(GHz): 17 @ 9的工作次數(GHz): 最久18達到飽和狀態熱效率(W): 20PAE(%)@次數(GHz): 68 @ 9訂購交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該集成運放是(shi)在SiC襯底上采取0.25μm柵(zha)極段長(chang)度的GaN HEMT技巧營造的。
它以裸集成電線芯片(pian)表現形式(shi)談到,而且(qie)應該內部(bu)相配電線。