所述CHA5266-FAB是在無引線(xian)表面能上的(de)三(san)階(jie)段單面砷(shen)化(hua)鎵中最大功率變小器布置(zhi)密封墊黑(hei)色金屬陶瓷(ci)廠家6x6mm2包。
它設計主要用(yong)(yong)于從軍事到商(shang)業運作電力操作系統的廣(guang)用(yong)(yong)。
該用電線路按照pHEMT的工(gong)藝生(sheng)產創(chuang)造,柵極長短為0.25μm,經(jing)由基材的通(tong)孔,冷空氣橋和網(wang)絡(luo)束柵星空刻技(ji)術生(sheng)產創(chuang)造。
它以達到RoHS的(de)SMD封裝類型具備(bei)。
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微波射頻元電子電子原件