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微波通信元器件封裝
硅基氮化鎵寬帶晶體管，DC-6 GHz，5W，28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW，脈沖和線性操作而設計，采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，輸出功率水平高達5W（37 dBm）。在低于3GHz的頻率下，NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的帶寬使用
- NPTB00004的充當品下滑
- 排水道速度高（> 55％）
- 制造業條件塑料件外包裝
- 28V進行
應用領域
- 飛機核工業與國家安全
- 寬帶網普通
- 民防通訊設備
- 實用主義
- VHF / UHF / L波長雷達探測
- wifi手機基礎上配套設施