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AM030WX-BI-R是一個種分立砷化鎵pHEMT，其總柵極屏幕寬度匹配為3.0公厘。它不是個淘瓷雙包，較多可執行10次千兆赫BI芯片芯片封裝采取層次性設計方案的淘瓷芯片芯片封裝，采取內嵌式配置途徑，具有耐折（BI-G）或直（BI）引線。封裝邊側的法蘭片同一時間用到交流電地線系統、頻射地線系統和熱出入口。此一部分適用RoHS。

優點

高達模型10GHz的低(di)頻操(cao)作的

增益控(kong)制=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz

表面上貼裝

有用導(dao)熱(re)的表層

應用領(ling)域

wifi手機當地環路

動(dong)力(li)放小(xiao)器

蜂窩(wo)無(wu)線路(lu)由電

中繼器

C股票(piao)波(bo)段(duan)VSAT

統計