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紅外光元功率器件
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場效果晶狀體管BI編的三區域。HiFET是一個種要素識別的發明權裝備手機配置，適用高壓低壓、大工率和網絡帶寬應用領域。這一要素的總電子元器件周圍為2厘米（兩個人1毫米左右的FET串并聯）。AM010WH2-BI-R專為中工率紅外光選用而設計，操作頻率led光通量12GHz。它也是越大額定功率儀器的夢想能夠子程序。BI系列作品采取專項 設定的衛浴陶瓷封裝形式，采取置于式按裝模式，擁有變形（BI-G）或直（BI）電纜線。二極管封裝底端的卡箍還用來電流地線、頻射地線和熱短信通道。此大部分按照RoHS。
優點
超過12GHz的低頻基(ji)本(ben)操作
高(gao)增(zeng)益值(zhi)和高(gao)額定(ding)功率(lv)，P1dB=30dbm@3.5GHz
面上貼(tie)裝
更有效風扇(shan)散熱的框架
廣泛(fan)應用
wifi手機本市(shi)環(huan)交(jiao)通(tong)網(wang)絡(luo)
蜂窩手機(ji)無(wu)線電光纖通信
WLAN、中繼(ji)器和(he)超局(ju)域(yu)網ip
C頻譜VSAT
雷達(da)天(tian)線