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更新時間(jian):2025-04-18 16:46:24 網頁瀏覽:491
LTM8061 和 TPS82130 是二種專門針對(dui)有所(suo)不同(tong)應該用情況開發(fa)的交流電源的管理存(cun)儲(chu)芯片,分(fen)別是存(cun)在 ADI(亞德諾半導體技術)和(he)TI(南京設備)。LTM8061或TPS82130已經必須要(yao) 被換用,核心是這是由于(yu)其在傳輸功率(如2A-3A)、工作效率、,散熱處理實力或的尺寸上不(bu)可充(chong)分滿足更(geng)高些功能要(yao)求,還猶豫(yu)廠家直銷鏈、成本價(jia)故障 促使供(gong)貨期不動態平衡(heng);而MUN3C1DR6-SB開關(guan)電源(yuan)傳感器(Cyntec)能展示(shi)更好電流值(zhi)、更為重(zhong)要利用(yong)率、更小質量(liang)分(fen)數(shu)或最好散(san)熱管理,一同的(de)支持更目前化的(de)數(shu)值(zhi)操(cao)作(zuo)功能性,最后滿足更苛求的(de)產業、各類汽(qi)車(che)或便攜式主(zhu)設備應用(yong)軟件的(de)要求。
技術應用參數表比(bi)照
運作 | MUN3C1DR6-SB | LTM8061(ADI) | TPS82130(TI) |
輸入電阻值比率 | 2.7V至5.5V | 2.375V至20V | 2.5V至5.5V |
輸出電壓電流 | 一定1.2V | 0.6V至5.5V(能調) | 0.6V至(zhi)5.5V(調節器(qi)) |
傳輸(shu)電壓 | 較大 600mA | 更大(da)2A | 最明顯1A |
打包封裝內容 | 4-SMD(2.5mm×2.0mm×1.1mm) | BGA或LGA(圖(tu)片尺寸稍大) | WSON(3mm×3mm×1.6mm) |
呵護職能 | 內部設置有欠壓定位(UVLO)、過流(liu)保護(OCP) | 嵌入電感、MOSFET和征收(shou)土地賠償電路原理,搭載遠程訪(fang)問啟閉和好(hao)(hao)幾(ji)種保護好(hao)(hao)功能鍵 | 內裝(zhuang)置電(dian)感(gan)、MOSFET和補償(chang)費電(dian)源線路,兼容即遠程開(kai)關按(an)鈕和環(huan)保傳統模式,有的效率(lv)(高達94%) |

分(fen)為MUN3C1DR6-SB電源(yuan)開關傳感器充當(dang)LTM8061或TPS82130的一(yi)般其(qi)原因涉及到價格優劣勢、供貨(huo)商不(bu)穩性(xing)、大中型化構思要并且功能鍵匹配性(xing)。
一、制(zhi)造費其優勢
直接(jie)性費用大大減少:MUN3C1DR6-SB的(de)(de)銷售價相關性不高于LTM8061和TPS82130,更是在一(yi)整批化的(de)(de)采購時,生(sheng)產成本一(yi)定的(de)(de)差異能達到30%-50%。
隱(yin)性直接費用抑制:國(guo)產系列電源模(mo)塊的進(jin)口關稅和物理生產利(li)潤(run)更低,且(qie)不用再承(cheng)受展覽(lan)公司股權溢價,進(jin)一歩(bu)解壓縮總(zong)生產利(li)潤(run)。
二、購(gou)貨不(bu)穩確(que)定(ding)性
生(sheng)產商鏈安全風險避免:受新國(guo)際商業貿易磨擦和病疫情等要素印象,TI和ADI的(de)交(jiao)房周期長(chang)提高(gao)至(zhi)20周及以上,而MUN3C1DR6-SB的(de)交(jiao)期時間段安全在8-12周,且部份材質(zhi)具(ju)有期貨(huo)存貨(huo)。
本地化可以(yi)支持:在中國生產(chan)廠(chang)商(shang)可提供數據快一點速的(de)回(hui)復和技(ji)能(neng)可以,提高因供給鏈超(chao)時產(chan)生的(de)的(de)項目拖延(yan)風險分析(xi)。
三、不同規格的中小巧性制作訴求
芯(xin)片(pian)封裝盡寸特點(dian):MUN3C1DR6-SB運(yun)用4-SMD封裝(zhuang)(2.5mm×2.0mm×1.1mm),較LTM8061的(de)BGA封裝(zhuang)類型(xing)和TPS82130的(de)WSON封裝(zhuang)類型(xing)更(geng)小,滿足對發(fa)展空(kong)間想要嚴(yan)謹的(de)操作情境(如可(ke)配帶環保(bao)設備、工藝調節(jie)器(qi)器(qi))。
集成化度(du)優(you)化:該模組自帶電感(gan)、MOSFET和補充集成運放,抽象(xiang)化外(wai)圍(wei)網(wang)集成運放設計的概念,增多PCB規模負載。
四、效果替換性
效(xiao)能(neng)叁數自動匹配(pei):在輸入電(dian)流電(dian)壓(ya)空間(jian)(2.7V-5.5V)、打(da)出直流電(dian)壓(ya)(1.2V穩(wen)固(gu))和錯誤率(最(zui)多92%)等重要(yao)指標英文上(shang),MUN3C1DR6-SB可夠(gou)滿(man)足大有(you)些中低根據(ju)適用業務需求(qiu)。
庇(bi)護性能覆(fu)蓋(gai)率:內置式欠壓自動隱藏(UVLO)、過流(liu)養護(OCP)和(he)熱關斷作用(yong),雖還不如LTM8061全面的,但已合并往往工(gong)業制造(zao)級(ji)采用(yong)場地。
成都 市立維創展創新科技現有工廠商標授權加盟Cyntec全(quan)面新軟件(jian),努力為(wei)老客戶(hu)能(neng)提(ti)供優質(zhi)量(liang)、優質(zhi)量(liang)、價房(fang)(fang)屋公證的(de)(de)電源適配器控制(zhi)模(mo)塊新軟件(jian)。Cyntec的(de)(de)24v電源模(mo)塊電源DC-DC食品(pin),交房(fang)(fang)更(geng)快(kuai)的(de)(de),兔費具備樣(yang)本,個部分應(ying)用現貨交易(yi)存量(liang)。舉例說(shuo)明應(ying)用:MUN12AD03-SEC,MUN3CAD03-SE等。品(pin)牌正品(pin)原廠的(de)(de),質(zhi)量(liang)水平確保(bao),并且還為(wei)國內 大(da)陸(lu)市(shi)面 保(bao)證系(xi)統搭載(zai),感謝咨詢(xun)了解。。